IRFH5210TRPBF

1.Талафҳои интиқоли паст
2.Фарзиши гармии беҳтарро фароҳам меорад
3. Баланд бардоштани эътимоднокӣ
4.Зичии нерӯи зиёд
5.Мутобиқати бисёр фурӯшанда
6. Истеҳсоли осонтар
7. Аз ҷиҳати экологӣ дӯстона
8. Баланд бардоштани эътимоднокӣ

Рақами Қисмҳои Истеҳсолкунанда: IRFH9310TRPBF
Истеҳсолкунанда / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: Бесурб / мувофиқи RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ: Асли нав, 12000 дона захира мавҷуд аст.
Фиристодан аз: Гонконг
Роҳи интиқол: DHL / Fedex / TNT / UPS
Арзиши аттрибутии маҳсулот Аттрибутро интихоб кунед
Рақами Қисм IRFH9310TRPBF
Истеҳсолкунанда / Бренд International Rectifier (Infineon Technologies)
Миқдори захиравӣ 12000 дона Захира
Категорияи Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ > Транзисторҳо - FETs, MOSFETs - Якка
Тавсифи MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: Сурбҳои ройгон / мутобиқати RoHS
Паҳно - Дарун -55°C ~ 150°C (TJ)
Шиддат/Ҷараён - Натиҷаи 1 PQFN (5x6)
Таҳаммулпазирӣ 5250pF @ 15V
Намуди дум P-канал
Қадами кунҷи MOSFET (оксиди металлӣ)
Коҳиш додани ҳарорат Infineon Technologies
Навъи SFP/XFP ±20V
Қобилияти дурдаст HEXFET®
Қатор - Монтажи рӯизаминии кабел
Дигар номҳо Бепул / Мутобиқати RoHS
Дигар номҳо 1
Навъи осциллятори 8-PowerVDFN
Шумораи DAC 30V
Ҳадди ақали вазни хоси моеъ -
Самти ҷуфтшавӣ 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Истеҳсолкунанда Рақами Қисми IRFH9310TRPBFDKR-ND
Дарозӣ - баррел Digi-Reel®
Ранги чароғ 4.5V, 10V
Шиддати тарафайни баланд - Макс (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Функсияи 58nC @ 4.5V
Қувваи печи фаъол
Иқтидори канал (CS(хомӯш), CD(хомуш)) 3.1W (Ta)
Навъи корти хонанда 2.4V @ 100μA
Хусусиятҳо ва манфиатҳо
Хусусиятҳо Манфиатҳои натиҷавӣ
Камтарини RDSon (≤ 4.6mΩ) Талафоти пасти интиқол
Мутобиқати бисёрсоҳавӣ барои бастаи саноатӣ-стандарти PQFN
Мутобиқ ба RoHS, ки дорои сурб, бромид ва галоген аз ҷиҳати экологӣ тоза нест
натиҷа медиҳад
Шарҳ
Миқдори шакл
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Лента ва чархи 4000
Рақами қисмҳои фармоишӣ Намуди бастаи стандартӣ
VDS -30 В
RDS(дар) макс
(@VGS = 10V) 4,6 мОм
Qg (муқаррарӣ) 110 nC
RG (муқаррарӣ) 2,8 Ом
ID
(@TA = 25°C) -21 А
Рейтингҳои максималии мутлақ
Воҳидҳои параметр
VDS шиддати дренаж ба манбаъ
Шиддати VGS Gate-to-Source
ID @ TA = 25 ° C ҷорӣ резиши доимӣ, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C ҷорӣ резиши доимӣ, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C ҷараёни дренажии доимӣ, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C ҷараёни резиши доимӣ, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Ҷараёни резиши доимӣ, VGS @ -10V (Бастан маҳдуд аст)
Ҷараёни дренажии импулси IDM
PD @TA = 25 ° C тақсимоти барқ
PD @ TA = 70 ° C Dissipation Ҳокимият
Омили коҳишёбии хатӣ В/°С
TJ Operating Junction ва
Диапазони ҳарорати нигоҳдории TSTG
Рейтинги такрорӣ;паҳнои набзи бо макс маҳдуд.ҳарорати пайвастшавӣ.
Оғози TJ = 25 ° C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Паҳнои набзи ≤ 400µs;давраи вазифа ≤ 2%.
Вақте ки дар тахтаи миси 1 дюйм мураббаъ бударо.
Rθ дар TJ тақрибан 90 ° C чен карда мешавад.
ТАНҲО барои Кӯмаки тарроҳӣ, набояд аз санҷиши истеҳсолӣ гузарад.